[发明专利]FinFET器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201310655186.X | 申请日： | 2013-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN104701173A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种FinFET器件的形成方法，包括：提供衬底，形成若干第一鳍；在衬底上形成伪栅；在衬底、第一鳍以及伪栅上覆盖层间介质层；平坦化层间介质层使伪栅露出；去除伪栅；形成侧壁向内凹陷的第二鳍；在间隙中形成横跨并包覆暴露出的第二鳍的栅极结构。本发明还提供一种FinFET器件，包括：鳍、栅极结构以及层间介质层，其中，鳍的侧壁向内凹陷。本发明的有益效果在于，通过使所述第二鳍的侧壁向内凹陷，使得后续形成的栅极结构与第二鳍之间的接触面积更大，从而提升了栅极结构对于第二鳍的控制能力，减小漏电流问题。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种FinFET器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，并在所述衬底上形成若干第一鳍；在所述衬底上形成若干横跨所述第一鳍的伪栅；在所述衬底、第一鳍以及伪栅上覆盖层间介质层；平坦化所述层间介质层，使所述伪栅露出；去除所述伪栅，以在所述层间介质层中形成若干间隙，所述间隙暴露出部分衬底以及部分第一鳍；对所述间隙中的暴露出的第一鳍进行蚀刻，以形成侧壁向内凹陷的第二鳍；在间隙中形成横跨并包覆所述暴露出的第二鳍的栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
