[发明专利]一种采用干氧氧化法制备局域背场钝化电池的方法

摘要

本发明公开了一种采用干氧氧化法制备局域背场钝化电池的方法，该方法引入硅片清洗和扩散氧化工艺，对常规生产线进行简单改造就可实现该种电池的量产，有利于提高对常规产线设备的利用率。该方法可降低电池背面的复合速率，同时提高对全光谱波段的光的光谱响应，达到提高电池效率的目的。

主权项

一种采用干氧氧化法制备局域背场钝化电池的方法，其特征在于，所述方法依次包括如下步骤：（1）选用P型多晶硅片作衬底，经制绒抛光，通过高温扩散在硅片上制备方块电阻值为95～110Ω/□的P‑N结；所述高温扩散参数如下：扩散温度为800～850℃，扩散时间为30～50min，扩散后进行退火，退火时间为300～500s；（2）去除硅片背面和边缘的P‑N结；（3）用双氧水和氨水混合水溶液清洗硅片后，在干氧环境下对硅片进行氧化，所述氧化参数为：氧化最高温度为800～830℃，氧化时间为10～25min，氧化后进行退火，退火时间≥15min，在硅片背面生长一层8～12nm的SiO2；氧化后方块电阻值为80～85Ω/□；（4）在硅片背面的SiO2上镀一层厚度为120～180nm的SiNx保护膜；（5）在硅片正面沉积厚度为40～70nm的SiNx减反射膜，SiNx减反射膜折射率为2.0～2.2；PECVD法参数如下：采用一步沉积方式镀膜，氨气流量设定为3.3～4.2slm，硅烷流量设定为0.25～0.35slm，控制氨气流量与硅烷流量之比为8～12，射频电源功率为4200～4500W，沉积时间为400～600S；（6）设置硅片背面电极接触图形：图形线宽为30～45μm，线间距为800～1500μm；用P秒激光器对硅片进行开膜；（7）在硅片上依次印刷背电极、铝浆和银浆，对硅片进行烧结，控制烧结峰值温度为870～890℃，烧结后在背面开膜区域形成铝硅合金层。