[发明专利]金属氧化物半导体(MOS)晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201310655295.1 | 申请日： | 2013-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103872132B | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 权勇·林;斯坦利·升澈·松;阿米塔比·贾殷 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种金属氧化物半导体晶体管MOS及其制作方法，其中相对于栅极电极的宽度增加有效沟道长度。在结构的表面处形成上覆于虚拟栅极电介质材料上的虚拟栅极电极，所述结构具有自对准的源极/漏极区域及在虚拟栅极结构的侧壁上的电介质间隔件。所述虚拟栅极电介质下伏于所述侧壁间隔件下。在包含从所述间隔件下方移除所述虚拟栅极电极及所述下伏虚拟栅极电介质材料之后，执行硅蚀刻以在下伏衬底中形成凹部。相对于所述凹部的底部的蚀刻，此蚀刻由于晶体定向而在底切侧上为自限制的。接着，将所述栅极电介质及栅极电极材料沉积到其余空隙中，举例来说以形成高k金属栅极MOS晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 mos 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种在单晶硅的表面处形成的金属氧化物半导体场效应晶体管，所述表面具有第一导电性类型，所述金属氧化物半导体场效应晶体管包括：第二导电性类型的源极及漏极区域，其在所述表面的通过所述单晶硅中的凹部彼此分离的位置处形成；第一及第二电介质结构，其分别安置于所述源极及漏极区域上方，所述第一及第二电介质结构中的每一者具有安置于所述凹部的部分的正上方的部分；栅极电介质层，其安置于所述凹部的表面处且在所述第一及第二电介质结构的部分的正下方以及在所述凹部的上方的所述第一及第二电介质结构的垂直边缘上方延伸；栅极电极，其安置于所述凹部内且通过所述栅极电介质层与所述表面分离，所述栅极电极具有在所述第一及第二电介质结构的部分的正下方延伸的部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德州仪器公司，未经德州仪器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310655295.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：扩展形宽频率电源抗干扰整流/导向电路
- 下一篇：VMOS续流控制电路
- 同类专利
- 专利分类
