[发明专利]引线框架和封装结构的形成方法有效

专利信息
申请号: 201310655302.8 申请日: 2013-12-05
公开(公告)号: CN103745931B 公开(公告)日: 2017-05-24
发明(设计)人: 陶玉娟 申请(专利权)人: 通富微电子股份有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 吴敏
地址: 226006 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种引线框架和封装结构的形成方法,所述封装结构的形成方法,包括提供引线框架,引线框架包括第一表面和与第一表面相对的第二表面,引线框架上具有若干呈矩阵排布的承载单元和固定承载单元的中筋,每个承载单元具有若干分立的引脚,相邻引脚之间具有第一开口;形成填充满第一开口的第一塑封层;在所述引线框架的第一表面和第一塑封层的表面上形成绝缘层,所述绝缘层中具有暴露引脚的表面的第二开口;提供若干半导体芯片,每个半导体芯片上具有若干焊盘,焊盘上形成有金属凸块;将若干半导体芯片倒装在引线框架上,将半导体芯片上的金属凸块与第二开口暴露的引脚的表面相焊接,形成若干矩阵排布的封装单元。本发明的方法提高了封装效率。
搜索关键词: 引线 框架 封装 结构 形成 方法
【主权项】:
一种封装结构的形成方法,其特征在于,包括:提供引线框架,所述引线框架包括第一表面和与第一表面相对的第二表面,所述引线框架上具有若干呈矩阵排布的承载单元和位于承载单元之间用于固定承载单元的中筋,每个承载单元具有若干分立的引脚,相邻引脚之间具有第一开口;形成填充满第一开口的第一塑封层;形成第一塑封层后,在所述引线框架的第一表面上形成绝缘层,所述绝缘层中具有暴露引脚的表面的第二开口;在形成绝缘层后,在所述承载单元之间的部分中筋中以及中筋上的绝缘层中形成若干分立的贯穿中筋和绝缘层厚度的槽孔,在将若干半导体芯片倒装在引线框架上时,槽孔使得半导体芯片和引线框架第一表面之间的空间是相通的;提供若干半导体芯片,每个半导体芯片上具有若干焊盘,所述焊盘上形成有金属凸块;将若干半导体芯片倒装在引线框架上,使半导体芯片与引线框架中的承载单元对应,将半导体芯片上的金属凸块与第二开口暴露的引脚的表面相焊接,形成若干矩阵排布的封装单元;在形成槽孔后和将若干半导体芯片倒装在引线框架上之后,形成覆盖所述半导体芯片和绝缘层的第二塑封层,且所述第二塑封层填充槽孔;沿封装单元进行切割,形成若干分立的封装结构。
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