[发明专利]一种基于微机电系统的挠曲电式微压力传感器有效
申请号: | 201310655468.X | 申请日: | 2013-12-06 |
公开(公告)号: | CN103630274A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 李斯;梁旭;申胜平;徐明龙 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | G01L1/16 | 分类号: | G01L1/16 |
代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 何会侠 |
地址: | 710049*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 种基于微机电系统的挠曲电式微压力传感器,包括固定的硅薄膜,在所述硅薄膜的顶部嵌入挠曲电介电薄膜后覆盖有绝缘层,并在硅薄膜周边也设置有绝缘层,所述挠曲电介电薄膜上下表面分别设置有上电极和下电极,与所述挠曲电介电薄膜的上电极和下电极分别连接有两条输出测量电荷信号的引线,所述硅薄膜下方具有施加压力的压力通道;本发明能够实现基于正挠曲电效应的微压力的测量。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 微机 系统 挠曲 式微 压力传感器 | ||
【主权项】:
一种基于微机电系统的挠曲电式微压力传感器,包括固定的硅薄膜(2),其特征在于:在所述硅薄膜(2)的顶部嵌入挠曲电介电薄膜(3)后覆盖有绝缘层(4),并在硅薄膜(2)周边也设置有绝缘层(4),所述挠曲电介电薄膜(3)上下表面分别设置有上电极(5)和下电极(6),与所述挠曲电介电薄膜(3)的上电极(5)和下电极(6)分别连接有两条输出测量电荷信号的引线(7),所述硅薄膜(2)下方具有施加压力的压力通道(8)。
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