[发明专利]具有集成电阻的槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管

摘要

本发明涉及一种集成电阻的槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管，其特点是：联栅晶体管的栅极与发射极之间集成了一个电阻，电阻的阻值为5欧姆--100K欧姆。本发明的优点是：在基极管腿悬空的情况下集电极与发射极之间的击穿电压BVce高，联栅晶体管的贮存时间ts短，关断速度快。

主权项

一种具有集成电阻的槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管，在其下层为N型低电阻率层、上层为N型高电阻率层的硅衬底片的上表面有多条N型的高掺杂浓度的发射区，该发射区的上面连接着N型的掺杂多晶硅层，该掺杂多晶硅层与发射极金属层连接，每条发射区的周围有P型的基区，基区的侧面连着掺杂浓度比基区高、深度比基区深度深的P型的槽形栅区，槽形栅区中的每条槽的底面和侧面都覆盖着绝缘层，每条槽的侧面绝缘层延伸到硅衬底片的上表面，栅区与栅极金属层相连，硅衬底片的上层位于基区以下和栅区以下的部分为集电区，硅衬底片的下层是集电极，集电极的下表面与集电极金属层相连，其特征在于：所述栅极与发射极之间集成了一个电阻；所述电阻的阻值为5欧姆‑‑100K欧姆。