[发明专利]文采唇柱苣苔的组培方法在审

专利信息
申请号: 201310656572.0 申请日: 2013-12-05
公开(公告)号: CN103651134A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 杨铁顺;赵亮;柯盛发;刘青;吴建平;闵宇;刘阳 申请(专利权)人: 天津滨海国际花卉科技园区股份有限公司
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 代理人: 孙春玲
地址: 300300 *** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明属于植物组织培养领域,尤其是涉及一种文采唇柱苣苔的组培方法。取去掉叶柄的嫩叶叶片,经流水冲洗30min后,沥净水份,在超净工作台上用75%的酒精浸润30s,再用浓度为0.1%的升汞溶液消毒7-8min,经无菌水冲洗5-6次,充分去除残留的升汞。将消好毒的叶片切成0.5-1平方厘米的小块接种在芽诱导培养基上,放在温度为23℃的培养室里培养;并且逐步继代培养。每天光照10-12h,光照强度1600-2000Lx,湿度85%-90%。采用本发明的组培方法能使文采唇苣苔快速生长,并且其叶片呈深绿色,叶片厚挺拔,富光泽;株型整齐;苞片颜色纯正艳丽,可观赏性强。
搜索关键词: 文采 唇柱苣苔 方法
【主权项】:
一种文采唇柱苣苔的组培方法,其特征在于:取去掉叶柄的嫩叶叶片,经流水冲洗30min后,沥净水份,在超净工作台上用75%的酒精浸润30s,再用浓度为0.1%的升汞溶液消毒7‑8min,经无菌水冲洗5‑6次,充分去除残留的升汞。将消好毒的叶片切成0.5‑1平方厘米的小块接种在芽诱导培养基上,放在温度为23℃的培养室里培养;并且逐步继代培养。每天光照10‑12h,光照强度1600‑2000Lx,湿度85%‑90%。
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