[发明专利]一种基于有机薄膜晶体管一氧化碳气体传感器的制备方法无效
| 申请号： | 201310657273.9 | 申请日： | 2013-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN103604835A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 于军胜;黄伟;王瀚雨;王晓;蒋泉 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;杨保刚 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于有机薄膜晶体管一氧化碳气体传感器的制备方法，先对衬底进行彻底的清洗，清洗后干燥；在衬底的表面制备栅电极，形成栅电极的图形；在镀有栅电极的基板的上制备介电层；对形成的介电层进行氧等离子轰击；在已形成栅电极，以及己覆盖经氧等离子轰击的介电层的基板上制备有机半导体膜；然后制备源电极和漏电极，形成源电极，漏电极图案。气体的响应率显著提升，探测浓度下限更低；相对单晶的晶体管，有机薄膜晶体管更加容易制备，成本更低；介电层表面经过氧等离子轰击，基于界面修饰的有机薄膜晶体管将具有更快的响应速度，能实现气体的快速检测；介电层表面经过氧等离子轰击，降低了生产成本，更适宜大规模产业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 有机 薄膜晶体管 一氧化碳 气体 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于有机薄膜晶体管一氧化碳气体传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：①先对衬底进行彻底的清洗，清洗后干燥；②在衬底的表面制备栅电极，形成栅电极的图形；③在镀有栅电极的基板的上制备介电层；④对形成的介电层进行氧等离子轰击；⑤在已形成栅电极，以及己覆盖经氧等离子轰击的介电层的基板上制备有机半导体膜；⑥然后制备源电极和漏电极，形成源电极，漏电极图案。
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