[发明专利]一种单晶硅酸腐蚀片的加工方法

摘要

本发明涉及单晶硅片表面加工工艺，特别涉及一种单晶硅酸腐蚀片的加工方法。采用HF，HNO3，CH3COOH的混合酸液进行实际加工过程中，用现有技术中公开报导硅片酸蚀刻工艺及相关技术资料进行双面反射率酸腐片的腐蚀加工，能一次性的完成两次腐蚀，所获得酸腐片的表面并无差异，而且该工艺受温度影响较小，便于生产实施，以通过工艺控制，可进行批量生产加工，而且质量稳定，节约大量加工成本，同时也达到了使用要求。

主权项

一种单晶硅酸腐蚀片的加工方法，其特征在于，采取如下工艺：a.将倒角后的硅片用双面磨削机进行双面研磨；b.酸腐蚀液按照以下组分的重量百分比进行配制：氢氟酸（HF）：8.27‑9.03%，硝酸（HNO3）：39.9‑40.24%，醋酸（CH3COOH）：21.60‑23.1%，其余组分为去离子水；c.把每个卡槽内放入2片研磨后的硅片，并导入酸腐机滚筒内，在加工硅片过程中，酸腐蚀液的温度保持在25‑40℃范围内，腐蚀时间为30‑50s，开启抛动，并且全程鼓吹氮气；d.每腐蚀2筒硅片之后，就将在用酸腐蚀液排出一部分酸液，排出量为在用酸腐蚀液总重量的2%‑3%，然后补充同等重量份的新的酸腐蚀液来维持在用酸腐蚀液的浓度动态平衡；e.腐蚀结束后，每加工100片，抽测10片硅片表面。检验其光泽度，表面，厚度和TTV，合格后进行包装。