[发明专利]一种智能卡内优化非易失性存储器编程的方法无效
| 申请号： | 201310665507.4 | 申请日： | 2013-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN103699407A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 刘晨 | 申请（专利权）人： | 北京中电华大电子设计有限责任公司 |
| 主分类号： | G06F9/445 | 分类号： | G06F9/445 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100102 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种智能卡内优化非易失性存储器编程的方法，能够减少智能卡命令处理中擦写存储器的次数，从而提升智能卡命令处理速度，优化卡片性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 智能卡 优化 非易失性存储器 编程 方法 | ||
【主权项】：
一种智能卡内优化非易失性存储器编程的方法，其特征在于一次命令处理流程中所有数据并不是马上启动更新操作，而是先在RAM缓冲区中将数据按数据块格式进行整理；在RAM缓冲区中查找在同一页的数据块，将找到的数据块写入到存储器缓冲区中，查找完毕后，一次启动编程写入到存储器实际地址；在RAM缓冲区中查找在同一页的数据块，找到后将这些数据块与存储器中本次写入的同一页的数据块进行比较，保证数据的可靠性。
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