[发明专利]一种改善晶硅电池镀膜质量的方法

摘要

发明公开了一种改善晶硅电池镀膜质量的方法，该方法包括：将待镀膜硅片置于石墨舟中，并将所述石墨舟置于管式炉中；将所述管式炉的温度升至恒温温度，所述恒温温度高于沉积温度；同时向所述管式炉中通入氮气；将所述管式炉内气体抽到真空，并将炉内的温度降至预放电温度，所述预放电温度低于所述沉积温度，通入特殊气体，并进行预放电；将所述管式炉内的温度调至沉积温度，对所述硅片进行减反射膜沉积。采用本发明提供的方法，可以使放置在同一石墨舟内的硅片镀的减反射膜膜厚更加均匀，折射率更加一致；进而减小了返工率，提高了效率。

主权项

一种改善晶硅电池镀膜质量的方法，其特征在于，包括步骤：a）将待镀膜硅片置于石墨舟中，并将所述石墨舟置于管式炉中；b）将所述管式炉的温度升至恒温温度，所述恒温温度高于沉积温度；同时向所述管式炉中通入氮气；c）将所述管式炉内的气体抽到真空，温度降至预放电温度，所述预放电温度低于所述沉积温度，通入特殊气体，并进行预放电；d）将所述管式炉内的温度调至沉积温度，对所述硅片进行减反射膜沉积。