[发明专利]一种MEMS开关仿真分析方法在审

专利信息
申请号: 201310675674.7 申请日: 2013-12-11
公开(公告)号: CN103678804A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 苗晓丹;戴旭涵;黄奕 申请(专利权)人: 上海工程技术大学
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 代理人: 何葆芳
地址: 201620 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种MEMS开关仿真分析方法,其包括如下步骤:a)建立MEMS开关的有限元模型;b)分析MEMS开关在通电情况下的输出性能及内部磁场强度分布情况;c)根据分析结果,对MEMS开关的结构进行优化。本发明首次提供了一种MEMS开关仿真分析方法,通过本发明方法建立MEMS开关的有限元模型,从而可掌握通入电压以及结构设计对MEMS开关输出性能的影响,进而为MEMS开关结构优化与设计提供依据。本发明应用性强,可用于MEMS开关双稳态工作机理的研究中,对MEMS开关的性能监测具有重要价值。
搜索关键词: 一种 mems 开关 仿真 分析 方法
【主权项】:
一种MEMS开关仿真分析方法,其特征在于,包括如下步骤:a)建立MEMS开关的有限元模型;b)分析MEMS开关在通电情况下的输出性能及内部磁场强度分布情况;c)根据分析结果,对MEMS开关的结构进行优化。
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