[发明专利]具有被改造以减少漏电流的沟道芯部的场效应晶体管及制作方法有效
| 申请号： | 201310675949.7 | 申请日： | 2013-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103915483B | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 平井友洋;望月省吾;南云俊治 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/775;H01L29/786;H01L21/336;B82Y10/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，包括在衬底的表面上形成的沟道结构，沟道结构由半导体材料形成。栅极结构覆盖沟道结构的表面的至少一部分并且由绝缘材料膜和栅极电极形成。源极结构连接到沟道结构的一端，并且漏极结构连接到沟道结构的另一端。沟道结构包括结构部件，结构部件减少半导体器件的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改造 减少 漏电 沟道 场效应 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：在衬底上形成的沟道结构，所述沟道结构包括半导体材料；栅极结构，覆盖所述沟道结构的表面的至少一部分，所述栅极结构包括绝缘材料膜和栅极电极；源极结构，连接到所述沟道结构的一端；以及漏极结构，连接到所述沟道结构的另一端，其中所述栅极结构包括金属层以及位于所述金属层上的掺杂的多晶硅层，以及其中所述沟道结构在截面图中具有非均匀的组成，相对于将由均匀的组成造成的漏电流，所述非均匀的组成提供所述半导体器件的漏电流的减少，所述沟道结构的所述非均匀的组成包括以下项之一：空腔，纵向形成在形成所述沟道结构的所述半导体材料中，所述空腔由此提供所述漏电流的减少；和中心芯部，包括电介质材料，所述电介质中心芯部由此提供所述漏电流的减少。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社，未经瑞萨电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310675949.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于防止道路积雪的清雪装置
- 下一篇：斜流板式直接空冷凝结水消能装置
- 同类专利
- 专利分类
