[发明专利]全光单片集成光电器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201310676003.2 | 申请日： | 2013-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN104716153A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 任昕;陆书龙;边历峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种全光GaN/GaInP/GaAs单片集成器件及其制作方法，所述全光单片集成器件的带隙能量分别为3.5/1.9/1.4ev，在GaAs和GaN之间增加中间层GaInP的带隙为1.9ev波长在红光范围内，所述全光单片集成器件可以吸收利用与其带隙近似的不同能量光谱，分别为蓝光、黄光、红光，从而实现全光范围。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 集成 光电 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种全光单片集成光电器件，其特征在于，包括p型GaAs衬底，以及依次形成于p型GaAs衬底上的GaInP/AlGaInP有源区量子阱、n型GaAs接触层、n型GaN接触层、GaN／InGaN有源区量子阱和p型GaN接触层，所述全光单片集成光电器件为单片集成的单个器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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