[发明专利]一种可控制备单层和少层硫化钼的方法在审
| 申请号： | 201310676237.7 | 申请日： | 2013-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN104709892A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 包信和;邓浇;邓德会 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;C01G39/06 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 刘阳 |
| 地址： | 116023 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可控制备单层和少层硫化钼的方法。具体地说，该方法是一种基于溶剂热的方法，利用钼基化合物的水溶液与含硫化合物在低温下直接反应生成目标产物。所制备的硫化钼具有规整的二维层状结构，且层数为单层或少层。本方法具有简单，易于操作和控制的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可控 制备 单层 硫化 方法 | ||
【主权项】：
一种可控制备单层和少层硫化钼的方法，其特征在于：（1）将钼基化合物的水溶液或钼基化合物和碳纳米管混合的水溶液与含硫化合物在惰性气体保护下密封至高压釜中；（2）将（1）中的高压釜于200‑500℃保持1‑15小时；（3）将（2）所得的样品于碱溶液中处理2‑6小时；然后用水和乙醇分别洗涤并抽虑，直至溶液呈中性；（4）将（3）所得样品干燥，即得到单层和少层硫化钼或单层硫化钼包裹的碳纳米管。
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