[发明专利]集成电路、芯片封装以及用于制造集成电路的方法有效
| 申请号： | 201310680452.4 | 申请日： | 2013-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN103681609B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | K·侯赛尼;J·马勒;A·毛德 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 马丽娜,马永利 |
| 地址： | 德国瑙伊比贝*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 集成电路、芯片封装以及用于制造集成电路的方法。提供了一种集成电路，该集成电路包括：载体，其包括至少一个电子部件和设置在该载体的第一侧面上的至少一个接触区，其中该至少一个电子部件被电连接至该至少一个接触区；无机材料层，其被晶片结合至载体的第一侧面，其中该载体具有第一热膨胀系数，且其中无机材料层具有第二热膨胀系数，其中第二热膨胀系数相较于第一热膨胀系数具有小于100％的差值；以及至少一个接触孔，其穿过无机材料层形成，其中该至少一个接触孔接触该至少一个接触区。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 芯片 封装 以及 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：载体，该载体包括至少一个电子部件和设置在载体的第一侧面的至少一个接触区，其中该至少一个电子部件电连接至该至少一个接触区；无机材料层，其被晶片结合至该载体的第一侧面，其中该载体具有第一热膨胀系数，且其中该无机材料层具有第二热膨胀系数，其中第二热膨胀系数相较于第一热膨胀系数具有小于100%的差值；至少一个接触孔，其穿过无机材料层形成，其中该至少一个接触孔接触该至少一个接触区；以及中间层，在无机材料层和载体的第一侧面之间，其中该中间层包括来自下述材料组中的一种材料，该材料组包括金、铝和玻璃粉。
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