[发明专利]太阳能电池电极的制备方法

摘要

发明公开了一种太阳能电池电极的制备方法，包括如下步骤：A.在硅片表面制作绒面；B.清洗后，将硅片置入扩散炉中进行扩散工序；C.利用湿法刻蚀去除硅片边结；D.在发射结表面制作氮化硅膜；E.利用丝网印刷设备制备正、背面电极以及背面电场，利用烧结炉进行电极、电场共烧处理。其中，正面电极包括主栅线和多条次栅线，次栅线垂直于主栅线；同一次栅线在宽度上为渐变结构，次栅线在与主栅线相交处为最大宽度；同一次栅线在厚度上也为渐变结构，次栅线在与主栅线相交处为最大厚度。本发明正面电极的同一次栅线在宽度和厚度上采用渐变结构，既能够减小遮光面积，又能够降低电池的串联电阻，改善电流在栅线中传输的功率损失，提高电池转换效率。

主权项

太阳能电池电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：A.利用硝酸、氢氟酸混合液或氢氧化钠溶液在硅片表面制作绒面；B.经过盐酸、氢氟酸溶液清洗后，将硅片置入扩散炉中进行扩散工序，温度为800‑900℃，通入气体为氮气、氧气、三氯氧磷混合气体，处理时间为30‑90分钟，在硅片表面形成30‑150Ω／sqr发射结；C.利用湿法刻蚀去除硅片边结；D.利用PECVD设备在发射结表面制作氮化硅膜，膜厚控制在70‑85nm，折射率控制在2.0‑2.15；E.利用丝网印刷设备制备正、背面电极以及背面电场，利用烧结炉进行电极、电场共烧处理。其中，正面电极包括主栅线和多条相互平行的次栅线，次栅线垂直于主栅线；同一次栅线在宽度上为渐变结构，次栅线在与主栅线相交处为最大宽度；同一次栅线在厚度上也为渐变结构，次栅线在与主栅线相交处为最大厚度。