[发明专利]坩埚及其制作方法、多晶硅锭的铸造方法有效
| 申请号： | 201310681309.7 | 申请日： | 2013-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103628128A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 潘家明 | 申请（专利权）人： | 英利集团有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 发明提供了一种坩埚，包括：坩埚本体；位于坩埚本体的底部和侧壁上的氮化硅涂层；位于氮化硅涂层表面上的掺镓氮化硅涂层，掺镓氮化硅涂层中含有镓化合物，掺镓氮化硅涂层覆盖坩埚本体的底部和侧壁，且掺镓氮化硅涂层的高度低于氮化硅涂层的高度。由于氮化硅在硅的熔点温度时并不熔化，镓元素掺杂在涂层内，因此熔化阶段结束后大部分镓元素仍然存在于涂层中，退火长晶时掺镓氮化硅涂层中的镓元素会在高温作用下扩散至硅锭的中下部分，使镓元素浓度从硅锭的底部至顶部逐步减小。同时多晶硅锭中硼元素浓度从底部至顶部逐步增大，二者共同作用下整个硅锭的电阻率均一，有效提高了掺镓P型多晶硅锭的电阻率的均一性，保证了硅锭具有较高的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚 及其 制作方法 多晶 铸造 方法 | ||
【主权项】：
一种坩埚，其特征在于，包括：坩埚本体；位于所述坩埚本体的底部和侧壁上的氮化硅涂层；位于所述氮化硅涂层表面上的掺镓氮化硅涂层，所述掺镓氮化硅涂层中含有镓化合物，所述掺镓氮化硅涂层覆盖所述坩埚本体的底部和侧壁，且所述坩埚侧壁上的掺镓氮化硅涂层的高度低于所述坩埚侧壁上的氮化硅涂层的高度。
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