[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置无效

专利信息
申请号: 201310682769.1 申请日: 2013-12-12
公开(公告)号: CN103700664A 公开(公告)日: 2014-04-02
发明(设计)人: 刘圣烈;宋泳锡;金熙哲;崔承镇 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;黄灿
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置,属于显示技术领域。其中,所述阵列基板的像素电极位于源电极和漏电极之下,且所述像素电极与所述源电极、漏电极为通过一次构图工艺形成,所述阵列基板的栅电极和源电极、漏电极位于有源层的同一侧。通过本发明的技术方案,能够减少制备阵列基板时构图工艺的次数,提高生产效率,降低制作成本。
搜索关键词: 阵列 及其 制作方法 显示装置
【主权项】:
一种阵列基板的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:提供一衬底基板;通过一次构图工艺在所述衬底基板上形成栅电极和栅线的图形;通过一次构图工艺在形成有所述栅电极和栅线的衬底基板上形成像素电极、数据线、源电极、漏电极和公共电极线的图形;通过一次构图工艺在形成有所述像素电极、数据线、源电极、漏电极和公共电极线的衬底基板上形成有源层的图形;通过一次构图工艺在形成有所述有源层的衬底基板上形成包括有过孔的钝化层的图形;通过一次构图工艺在形成有所述钝化层的衬底基板上形成公共电极的图形,所述公共电极通过所述过孔与所述公共电极线连接。
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