[发明专利]离子注入装置以及离子注入装置的清洗方法有效

专利信息
申请号: 201310684549.2 申请日: 2013-12-13
公开(公告)号: CN104064426B 公开(公告)日: 2018-04-20
发明(设计)人: 永井孝幸;佐藤正辉 申请(专利权)人: 斯伊恩股份有限公司
主分类号: H01J37/317 分类号: H01J37/317;B08B13/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司72002 代理人: 徐殿军
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种离子注入装置以及离子注入装置的清洗方法,本发明是鉴于如下状况而完成的,其目的在于提供缩短离子注入装置的维护时间的技术。该离子注入装置为将氟化物气体用作源气体的离子注入装置。该装置具备真空容器,导入源气体;导入路径,设置于真空容器并导入清洗气体,该清洗气体含有与堆积在该真空容器内部的氟化物进行反应而生成反应生成物气体的成分;送入装置,向导入路径强制性地送入清洗气体;第1调整装置,调整导入路径的气体流量;排气路径,设置于真空容器,反应生成物气体与清洗气体一同被强制性地排出;第2调整装置,调整排气路径的气体流量;及控制装置,伴随送入装置的工作,控制由第1调整装置及第2调整装置进行的气体流量的调整。
搜索关键词: 离子 注入 装置 以及 清洗 方法
【主权项】:
一种离子注入装置,其将氟化物气体用作离子源的源气体,其中,该离子注入装置具备:真空容器,导入源气体;导入路径,与所述真空容器连接,并向所述真空容器导入清洗气体,所述清洗气体含有与堆积在该真空容器内部的氟化物进行反应而生成反应生成物气体的成分;送入装置,与导入路径连接,并向所述导入路径强制性地送入所述清洗气体;第1调整装置,插装于导入路径,并调整所述导入路径的气体流量;排气路径,与所述真空容器连接,所述反应生成物气体与所述清洗气体一同从真空容器被强制性地排出;第2调整装置,插装于排气路径,并调整所述排气路径的气体流量;及控制装置,伴随所述送入装置的工作,控制由所述第1调整装置及所述第2调整装置进行的气体流量的调整,并且控制真空容器的压力,所述清洗气体为含有水分的大气。
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