[发明专利]一种银纳米线基多层结构的复合透明导电薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201310684573.6 | 申请日： | 2013-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN103730194A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 沈文锋;徐青松;黄琦金;杨晔;宋伟杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 刘诚午 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种银纳米线基多层结构的复合透明导电薄膜及其制备方法。在柔性衬底上依次制备下AZO导电层、银纳米线导电层和上AZO导电层银纳米线导电层，其中采用多元醇法制备银纳米线导电层的过程中聚乙烯吡咯烷酮：金属盐：硝酸：硝酸银的摩尔比为1.5～6：1.5×10-3～3×10-3：0.01～0.5：1。所得到的银纳米线基多层结构的复合透明导电薄膜，提高了银纳米线透明导电复合薄膜的粘附性和稳定性，有利于提高银纳米线透明导电复合薄膜的稳定性和导电性，且采用AZO薄膜和柔性衬底，降低了制备成本，增加了材料的柔韧性。本发明的基于银纳米线透明导电复合薄膜，适用于柔性电子器件中，易于器件集成，且制备工艺简单，适合工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 基多 结构 复合 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种银纳米线基多层结构的复合透明导电薄膜，其特征在于，从下至上依次包括：柔性衬底，下AZO导电层、银纳米线导电层和上AZO导电层。
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