[发明专利]用于离子注入装置的高电压电极的绝缘结构有效

专利信息
申请号: 201310684864.5 申请日: 2013-12-13
公开(公告)号: CN104078299A 公开(公告)日: 2014-10-01
发明(设计)人: 佐藤正辉;松下浩 申请(专利权)人: 斯伊恩股份有限公司
主分类号: H01J37/317 分类号: H01J37/317;H01B17/64
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 徐殿军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种用于离子注入装置的高电压电极的绝缘结构。该高电压电极的绝缘结构具备:绝缘体(126),具备露出表面(128);及导体部(130),具备与绝缘体(126)相接的接合区域(138)、及以与绝缘体(126)的露出表面(128)相邻的方式沿接合区域(138)的边缘部(142)的至少一部分而设的耐热部(150)。耐热部(150)由熔点高于导体部(130)的导电材料形成。耐热部(150)可以以与绝缘体(126)的露出表面(128)之间留有间隙的方式配置。
搜索关键词: 用于 离子 注入 装置 电压 电极 绝缘 结构
【主权项】:
一种高电压电极的绝缘结构,其用于离子注入装置,该高电压电极的绝缘结构的特征在于,具备:作为电极的两个导体部;及介于所述两个导体部之间的绝缘体,所述两个导体部分别与所述绝缘体连接,所述绝缘体具备向真空空间露出的露出表面,所述两个导体部分别具备导体主体,该导体主体具备与所述绝缘体相接的接合区域、向所述真空空间露出的露出区域、及位于所述接合区域与所述露出区域之间的边界区,所述两个导体部中的至少一个导体部具备配置于所述导体主体的至少一个导体要件,所述导体要件设于所述边界区的至少一部分上,以便与所述绝缘体的所述露出表面相邻,并由熔点高于所述导体部的导电材料形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于斯伊恩股份有限公司,未经斯伊恩股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310684864.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top