[发明专利]用于离子注入装置的高电压电极的绝缘结构有效
申请号: | 201310684864.5 | 申请日: | 2013-12-13 |
公开(公告)号: | CN104078299A | 公开(公告)日: | 2014-10-01 |
发明(设计)人: | 佐藤正辉;松下浩 | 申请(专利权)人: | 斯伊恩股份有限公司 |
主分类号: | H01J37/317 | 分类号: | H01J37/317;H01B17/64 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种用于离子注入装置的高电压电极的绝缘结构。该高电压电极的绝缘结构具备:绝缘体(126),具备露出表面(128);及导体部(130),具备与绝缘体(126)相接的接合区域(138)、及以与绝缘体(126)的露出表面(128)相邻的方式沿接合区域(138)的边缘部(142)的至少一部分而设的耐热部(150)。耐热部(150)由熔点高于导体部(130)的导电材料形成。耐热部(150)可以以与绝缘体(126)的露出表面(128)之间留有间隙的方式配置。 | ||
搜索关键词: | 用于 离子 注入 装置 电压 电极 绝缘 结构 | ||
【主权项】:
一种高电压电极的绝缘结构,其用于离子注入装置,该高电压电极的绝缘结构的特征在于,具备:作为电极的两个导体部;及介于所述两个导体部之间的绝缘体,所述两个导体部分别与所述绝缘体连接,所述绝缘体具备向真空空间露出的露出表面,所述两个导体部分别具备导体主体,该导体主体具备与所述绝缘体相接的接合区域、向所述真空空间露出的露出区域、及位于所述接合区域与所述露出区域之间的边界区,所述两个导体部中的至少一个导体部具备配置于所述导体主体的至少一个导体要件,所述导体要件设于所述边界区的至少一部分上,以便与所述绝缘体的所述露出表面相邻,并由熔点高于所述导体部的导电材料形成。
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