[发明专利]薄膜晶体管阵列基板、制造方法及液晶显示装置有效
申请号: | 201310686690.6 | 申请日: | 2013-12-13 |
公开(公告)号: | CN103681695A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 陈彩琴 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77;G02F1/136;G02F1/1335 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 刁文魁;唐秀萍 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板、制作方法及液晶显示装置。该薄膜晶体管阵列基板包括基板衬底、形成在基板衬底上的黑色矩阵层、栅极层、绝缘层、半导体层、欧姆接触层、第二导电层、钝化层以及透明导电层;第二导电层包括源极层和漏极层,栅极层在基板衬底上的投影区域与漏极层在基板衬底上的投影区域存在间隙。本发明还提供一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法及液晶显示装置。本发明的薄膜晶体管阵列基板、制作方法及液晶显示装置提升了相应液晶显示装置的显示效果。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 制造 方法 液晶 显示装置 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,包括:基板衬底,以及从下向上依次形成在所述基板衬底上的黑色矩阵层、栅极层,绝缘层,半导体层,欧姆接触层,所述欧姆接触层位于所述半导体层上相互分离的第一区域和第二区域;第二导电层,包括源极层以及漏极层,所述源极层与所述第一区域的欧姆接触层连接,所述漏极层与所述第二区域的欧姆接触层连接;钝化层:位于所述源极层以及所述漏极层上;以及透明导电层:位于所述钝化层上,并通过过孔与所述漏极层电性连接,其中通过对所述透明导电层进行图形化处理,形成像素电极;其中所述栅极层在所述基板衬底上的投影区域与所述漏极层在所述基板衬底上的投影区域存在间隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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