[发明专利]成膜装置、基板处理装置及成膜方法

摘要

本发明提供成膜装置、基板处理装置及成膜方法。成膜装置包括旋转台；成膜区域，于其中在基板上依次层叠分子层或原子层而形成薄膜；等离子体处理部，在等离子体产生区域中利用等离子体对分子层或原子层进行改性处理，等离子体产生区域在旋转台的旋转方向上与成膜区域分开地设置；下侧偏压电极和上侧偏压电极，为了将等离子体中的离子引入基板的表面，该下侧偏压电极设于旋转台上的基板的高度位置的下方侧，该上侧偏压电极配置在与高度位置相同的位置或配置于该高度位置的上方侧；高频电源部，与下侧偏压电极和上侧偏压电极中的至少一方相连接，使下侧偏压电极和上侧偏压电极隔着等离子体产生区域进行电容耦合而在基板上形成偏压电位；排气机构。

主权项

一种成膜装置，其构成为在真空容器内对基板进行成膜处理，其中，该成膜装置包括：旋转台，其构成为使基板载置区域进行公转，该基板载置区域构成为载置上述基板；成膜区域，其包括构成为向上述基板载置区域供给处理气体的处理气体供给部，且构成为伴随上述旋转台的旋转在上述基板上依次层叠分子层或原子层而形成薄膜；等离子体处理部，其构成为在等离子体产生区域中利用由等离子体产生用气体的等离子体化生成的等离子体对上述分子层或原子层进行改性处理，上述等离子体产生区域在上述旋转台的旋转方向上与上述成膜区域分开地设置；下侧偏压电极和上侧偏压电极，为了将等离子体中的离子引入上述基板的表面，该下侧偏压电极设于上述旋转台上的上述基板的高度位置的下方侧，该上侧偏压电极配置在与上述高度位置相同的位置或配置于该高度位置的上方侧；高频电源部，其构成为与上述下侧偏压电极和上述上侧偏压电极中的至少一方相连接，使上述下侧偏压电极和上述上侧偏压电极隔着上述等离子体产生区域进行电容耦合而在上述基板上形成偏压电位；排气机构，其构成为对上述真空容器内进行排气。