[发明专利]击穿电压增加的金属氧化物半导体器件在审
| 申请号： | 201310687279.0 | 申请日： | 2013-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN103872135A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 伊藤明 | 申请（专利权）人： | 美国博通公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 田喜庆 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及击穿电压增加的金属氧化物半导体器件。一种半导体器件包括：第一阱、第二阱和分离结构。第一阱和第二阱被嵌入在半导体衬底中。分离结构也被嵌入在半导体衬底中并且将第一阱和第二阱分离，使得第一阱和第二阱彼此不接触。 | ||
| 搜索关键词： | 击穿 电压 增加 金属 氧化物 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一阱，嵌入在半导体衬底中；第二阱，嵌入在所述半导体衬底中；以及分离结构，嵌入在所述半导体衬底中，将所述第一阱和所述第二阱分离，使得所述第一阱和所述第二阱彼此不接触。
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