[发明专利]片式元器件内电极的制作方法在审
| 申请号： | 201310687802.X | 申请日： | 2013-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103632785A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 覃杰勇;王清华 | 申请（专利权）人： | 深圳顺络电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01C17/00 | 分类号： | H01C17/00;H01G13/00;H01F41/00 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 518110 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 发明公开了一种片式元器件内电极的制作方法，首先配制陶瓷流延浆料，并将陶瓷流延浆料经流延、烘干形成陶瓷生片；再用激光器在陶瓷生片上雕刻出沟槽；最后将银浆填充到沟槽中，就形成片式元器件内电极。本发明采用沟槽填充方式制作片式元器件内电极，只需将银浆填充到沟槽中，不会造成多余的银浆的浪费；同时也不需使用化学溶液清洗显影，不会造成环境污染。 | ||
| 搜索关键词： | 元器件 电极 制作方法 | ||
【主权项】：
一种片式元器件内电极的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：配制陶瓷流延浆料；S2：所述陶瓷流延浆料经流延、烘干后形成陶瓷生片；S3：用激光器在所述陶瓷生片上雕刻出沟槽；S4：将银浆填充到所述沟槽中，形成片式元器件内电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳顺络电子股份有限公司，未经深圳顺络电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310687802.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种锂离子电池
- 下一篇：一种气体绝缘金属封闭开关设备
