[发明专利]硅化物形成中的双层金属沉积

摘要

本发明提供了一种方法，包括实施第一溅射以在半导体区的表面上形成第一金属膜。使用第一离子能量实施第一溅射。该方法还包括实施第二溅射以在第一金属膜上方形成与第一金属膜接触的第二金属膜，其中第一和第二金属膜包括相同的金属。使用比第一离子能量低的第二离子能量来实施第二溅射。实施退火以使第一和第二金属膜与半导体区反应而形成金属硅化物。本发明还公开了硅化物形成中的双层金属沉积。

主权项

一种形成鳍式场效应晶体管的方法，包括：实施第一溅射以在半导体区的表面上形成第一金属膜，使用第一离子能量来实施所述第一溅射；实施第二溅射以在所述第一金属膜上方形成与所述第一金属膜接触的第二金属膜，所述第一金属膜和第二金属膜包括相同的金属，并且使用比所述第一离子能量低的第二离子能量来实施所述第二溅射；以及实施退火以使所述第一金属膜和第二金属膜与所述半导体区反应以形成金属硅化物；其中，在实施所述第一溅射之后，将腔室中的压力从第一压力增加至第二压力，在所述腔室中和所述第一压力下实施所述第一溅射，并且在所述腔室中和所述第二压力下实施所述第二溅射。