[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，半导体器件包括配置在工件上方的导电部件，每个导电部件都包括导线部分和通孔部分。阻挡层配置在每个导电部件的侧壁上和每个导电部件的通孔部分的底面上。阻挡层包括介电层。第一绝缘材料层配置在每个导电部件的部分导线部分之下。第二绝缘材料层配置在导电部件之间。第三绝缘材料层配置在第一绝缘材料层和第二绝缘材料层之下。每个导电部件的通孔部分的下部形成在第三绝缘材料层内。第二绝缘材料层的介电常数低于第一绝缘材料层和第三绝缘材料层的介电常数。

主权项

1.一种半导体器件，包括：多个导电部件，配置在工件上方，所述多个导电部件的每一个都包括导线部分和通孔部分；阻挡层，配置在所述多个导电部件的每一个的侧壁上和所述多个导电部件的每一个的通孔部分的底面上；第一蚀刻停止层，配置在所述工件上方；第一绝缘材料层，配置在所述多个导电部件的每一个的导线部分的一部分之下；第二绝缘材料层，配置在所述多个导电部件之间并且与所述第一绝缘材料层直接接触；第三绝缘材料层，配置在所述第一绝缘材料层和所述第二绝缘材料层之下，并且配置在所述第一蚀刻停止层之上；以及第二蚀刻停止层，配置在所述第三绝缘材料层上方和所述第一绝缘材料层与所述第二绝缘材料层之下；其中，所述多个导电部件的每一个的通孔部分的下部形成在所述第三绝缘材料层和所述第二蚀刻停止层内，并且所述第二绝缘材料层的介电常数低于所述第一绝缘材料层或所述第三绝缘材料层的介电常数。