[发明专利]一种提高大直径区熔硅单晶生产质量的方法有效
| 申请号： | 201310690078.6 | 申请日： | 2013-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN104711664A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 杨凯;闫志瑞 | 申请（专利权）人： | 有研新材料股份有限公司;有研半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/28 | 分类号： | C30B13/28;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青;熊国裕 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种提高大直径区熔硅单晶生产质量的方法，一种提高大直径区熔硅单晶生产质量的方法，该方法主要包括籽晶熔接、引晶、放肩、等径、收尾步骤，在放肩过程中，通过以下步骤确定并控制该过程中加热线圈的功率：(1)根据所要生产的硅单晶的直径将欲放肩形成的漏斗形熔区划分为数个生长区间；(2)然后根据所划分的生长区间确定每个生长区间的生长时间；(3)最后根据所确定的生长时间确定每个生长区间内加热线圈需要增加的功率。采用本发明可以有效的操控单晶的生长结构，改善单晶的生长热场环境，减缓人为操作过程中的失误情节，还可以提高单晶的成晶率和合格率，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 直径 区熔硅单晶 生产 质量 方法 | ||
【主权项】：
一种提高大直径区熔硅单晶生产质量的方法，该方法主要包括籽晶熔接、引晶、放肩、等径、收尾步骤，其特征在于，在放肩过程中，通过以下步骤确定并控制该过程中加热线圈的功率：(1)根据所要生产的硅单晶的直径将欲放肩形成的漏斗形熔区划分为数个生长区间；(2)然后根据所划分的生长区间确定每个生长区间的生长时间；(3)最后根据所确定的生长时间确定每个生长区间内加热线圈需要增加的功率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于有研新材料股份有限公司;有研半导体材料有限公司;，未经有研新材料股份有限公司;有研半导体材料有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310690078.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
