[发明专利]包括半导体二极管的晶体管单元阵列

摘要

包括半导体二极管的晶体管单元阵列。半导体装置的一个实施例包括密集沟槽晶体管单元阵列。密集沟槽晶体管单元阵列包括在半导体本体中的多个晶体管单元。多个晶体管单元中的每个的晶体管台面区域的宽度w₃和多个晶体管单元的每个的第一沟槽的宽度w₁满足下面的关系：w₃<1.5×w₁。半导体装置进一步包括半导体二极管。半导体二极管中的至少一个被布置在多个晶体管单元的第一和第二部分之间并且包括邻接第二沟槽的相对壁的二极管台面区域。第一沟槽的深度d₁和第二沟槽的深度d₂相差至少20%。

主权项

一种半导体装置，包括：密集沟槽晶体管单元阵列，其包括在半导体本体中的多个晶体管单元，其中所述晶体管单元中的每个包括第一沟槽，其中所述多个晶体管单元中的每个的晶体管台面区域的宽度w₃和所述多个晶体管单元中的每个的所述第一沟槽的宽度w₁满足下面的关系：w₃ < 1.5 × w₁；半导体二极管，其中半导体二极管中的至少一个被布置在所述多个晶体管单元的第一和第二部分之间并且包括二极管台面区域；以及多个第二沟槽；其中所述半导体二极管中的至少一个的二极管台面区域邻接一对第二沟槽的相对壁；并且其中所述第一沟槽的深度d₁比所述第二沟槽的深度d₂大至少20%。