[发明专利]通过引入碳阻挡减小MEMS静摩擦有效
| 申请号： | 201310692997.7 | 申请日： | 2013-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN103864006A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | R·B·蒙特兹;R·F·斯蒂姆勒 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 郭思宇 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种用于通过减少源自基于TEOS的硅氧化膜的碳的数量来减小MEMS器件中的静摩擦的机制，其中所述膜在制作期间可以在多晶硅表面上累积。碳阻挡材料膜(510,520)可以在MEMS器件中的一个或多个多晶硅层(210,230)和基于TEOS的氧化硅层(220)之间沉积。所述阻挡材料防止碳扩散到所述多晶硅，从而减少在多晶硅表面上碳的累积。通过减少碳的累积，由于碳的存在造成的静摩擦机率同样被减小。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 引入 阻挡 减小 mems 静摩擦 | ||
【主权项】：
一种用于制造微机电系统（MEMS）器件的方法，所述方法包括：在衬底之上形成第一多晶硅层;在所述第一多晶硅层之上形成牺牲层，其中所述牺牲层包括通过使用四乙氧基硅烷（TEOS）气体沉积的氧化硅；在所述牺牲层之上形成第二多晶硅层;退火所述第二多晶硅层，其中所述退火包括将所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层以及所述牺牲层加热到足以减轻在所述第二多晶硅层中的应力的温度；以及在所述牺牲层与所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层中的一个或多个之间形成碳阻挡层，其中所述碳阻挡层在所述退火期间防止碳从所述牺牲层扩散到相邻的多晶硅层。
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