[发明专利]一种柔性软磁片及其制造方法有效
| 申请号： | 201310693130.3 | 申请日： | 2013-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN104715880B | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 蔡道炎;敖学如;饶晓雷;胡伯平 | 申请（专利权）人： | 北京中科三环高技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F7/02 | 分类号： | H01F7/02;H01F1/147;H01F41/02 |
| 代理公司： | 北京航忱知识产权代理事务所(普通合伙) 11377 | 代理人： | 陈立航;郭红燕 |
| 地址： | 100190 北京市海淀区中*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种柔性软磁片及其制造方法。所述柔性软磁片，其厚度为0.05～0.5mm，在1MHz时的磁导率实部u′值在50～150的范围内，在100MHz时的磁导率实部u′值在20～80的范围内，所述磁片在120℃、120h下的线变形率小于1％。制造所述柔性软磁片的原料中包括薄片化的铁硅铝和/或铁硅铬磁粉，所述磁粉的厚度为20～100nm，所述磁粉中有80～90wt％的磁粉颗粒粒径小于90μm，有10～20wt％的磁粉颗粒粒径在90～100μm的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 磁片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种柔性软磁片，其厚度为0.05～0.5mm，在1MHz时的磁导率实部u′值在50～150的范围内，在100MHz时的磁导率实部u＇值在20～80的范围内，所述磁片在120℃、120h下的线变形率小于1％。
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