[发明专利]一种铜/石墨核壳结构的制备工艺在审
| 申请号： | 201310694221.9 | 申请日： | 2013-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN104707997A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 于明森 | 申请（专利权）人： | 青岛胜利锅炉有限公司 |
| 主分类号： | B22F1/02 | 分类号： | B22F1/02;B22F9/12;C23C16/517;C23C16/505;C23C16/513;C23C14/35 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 266700 *** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种铜/石墨核壳结构的制备工艺。其技术方案是采用RF-PECVD设备，利用DPS-Ⅲ型超高真空对靶磁控溅射制备的铜薄膜为铜源，成功的制备了铜/石墨核壳结构（GS/CC）材料。本发明的特点是：本发明通过直流磁控溅射和射频等离子体增强化学气相沉积的方法制备了铜/石墨核壳结构材料。Cu颗粒的引入可以有效地提高材料的场发射性能，通过调制石墨烯的形貌，可以有效的改善石墨烯的场发射性能，使其在场发射器件中具有潜在的应用。本发明利用石墨和铜特性优势互补，制备了铜/石墨核壳结构（GS/CC）材料，降低成本的同时显著提升核壳结构材料的场发射性能，在信息技术、生物医学和传感器等领域具有潜在的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 结构 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种铜/石墨核壳结构的制备工艺，其特征是：采用RF‑PECVD设备，利用DPS‑Ⅲ型超高真空对靶磁控溅射制备的铜薄膜为铜源，成功的制备了铜/石墨核壳结构（GS/CC）材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于青岛胜利锅炉有限公司;，未经青岛胜利锅炉有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310694221.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
