[发明专利]半导体制冷器及半导体制冷装置有效
| 申请号： | 201310695972.2 | 申请日： | 2013-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN103697618A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 高俊岭;罗嘉恒;关庆乐;孔小凤 | 申请（专利权）人： | 广东富信科技股份有限公司 |
| 主分类号： | F25B21/02 | 分类号： | F25B21/02 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 528306 广东省佛*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体制冷器及半导体制冷装置。该半导体制冷器包括：第一基板、第二基板，以及设置在第一基板和第二基板之间的至少两个半导体电偶；还包括：设置在第一基板和第二基板之间的侧墙，侧墙围绕在至少两个半导体电偶外围；所述侧墙包括固定连接在所述第一基板和第二基板之间的胶粘层，以及位于第一基板和第二基板之间的、且固定连接于胶粘层内侧的增强层，增强层的导热系数低于胶粘层。本发明的半导体制冷器，避免了外界潮湿空气等进入到半导体电偶周围产生原电池效应；而且，还可以减少由侧墙引起的第一基板与第二基板间热量损失，有效改善侧墙漏热现象，改善了半导体制冷器的制冷或制热效果，并有利于延长使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制冷 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体制冷器，包括：第一基板、第二基板，以及设置在所述第一基板和第二基板之间的至少两个半导体电偶；其特征在于，还包括：设置在所述第一基板和第二基板之间的侧墙，所述侧墙围绕在所述至少两个半导体电偶外围；所述侧墙包括固定连接在所述第一基板和第二基板之间的胶粘层，以及位于所述第一基板和第二基板之间的、且固定连接于所述胶粘层内侧的增强层，所述增强层的导热系数低于所述胶粘层。
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