[发明专利]在功率晶体管中集成自举电路元件的系统和方法在审
| 申请号： | 201310696160.X | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103872037A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | S.莱奥芒;M.保卢奇;M.佩尔茨尔;M.H.菲莱迈尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/31;H01L21/50;H01L27/06;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马丽娜;徐红燕 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 在功率晶体管中集成自举电路元件的系统和方法。实施例涉及与至少一个其它器件，例如功率晶体管或其它半导体器件集成的自举电路。在实施例中，自举电路可以包括自举电容器和自举二极管，或者自举电路可以包括自举电容器和自举晶体管。在实施例中，自举电容器包括基于半导体的电容器，与电解、陶瓷或其它电容器相对。在实施例中，自举电路与另一电路或器件（例如在一个实施例中的功率晶体管器件）的集成处于硅级，而不是作为传统方法的类模块的封装中系统。换句话说，自举电路元件和功率晶体管或其它器件的组合在实施例中形成硅上系统，或集成电路，并且另外可以被布置在单一封装中。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 晶体管 集成 电路 元件 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：封装；和集成电路，其被布置在所述封装中并且包括互相耦合的至少一个晶体管器件和自举电路，所述自举电路包括基于半导体的自举电容器器件。
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