[发明专利]一种晶圆键合方法在审
| 申请号： | 201310697478.X | 申请日： | 2013-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN104716056A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 郭亮良;王伟;刘煊杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆键合方法，包括：提供需要实施键合的晶圆，其中，所述晶圆中的下晶圆上形成有第一焊盘，所述晶圆中的上晶圆上与所述第一焊盘对应的位置形成有键合材料，且所述下晶圆的边缘位置形成有第二焊盘；对所述下晶圆和所述上晶圆实施晶圆键合；对实施所述晶圆键合之后的晶圆进行磨削减薄处理。根据本发明，在实施所述磨削减薄处理时，位于所述下晶圆上的第二焊盘对磨削减薄的作用力起到缓冲作用，从而可以避免在所述上晶圆的边缘产生裂痕，同时由于所述上晶圆上与所述第二焊盘相对应的位置未形成键合材料，不会对后续的晶圆切割处理造成负面影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆键合 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆键合方法，包括：提供需要实施键合的晶圆，其中，所述晶圆中的下晶圆上形成有第一焊盘，所述晶圆中的上晶圆上与所述第一焊盘对应的位置形成有键合材料，且所述下晶圆的边缘位置形成有第二焊盘；对所述下晶圆和所述上晶圆实施晶圆键合；对实施所述晶圆键合之后的晶圆进行磨削减薄处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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