[发明专利]薄膜晶体管及包括该薄膜晶体管的有机发光二极管显示器

摘要

本发明公开一种薄膜晶体管及包括该薄膜晶体管的有机发光二极管显示器。该薄膜晶体管包括：基板；位于基板上的半导体层；覆盖基板和半导体层的第一绝缘层；位于第一绝缘层上并与半导体层重叠的第一栅电极；覆盖第一栅电极和第一绝缘层的第二绝缘层；位于第二绝缘层上并与半导体层和第一栅电极重叠的第二栅电极；覆盖第二栅电极的第三绝缘层；被限定在第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层中并暴露半导体层的一部分的第一接触孔；以及通过第一接触孔连接至半导体层的源电极和漏电极。

主权项

1.一种薄膜晶体管，包括：基板；半导体层，位于所述基板上；第一绝缘层，覆盖所述基板和所述半导体层；第一栅电极，位于所述第一绝缘层上并且与所述半导体层重叠；第二绝缘层，覆盖所述第一栅电极和所述第一绝缘层；第二栅电极，位于所述第二绝缘层上并且与所述半导体层和所述第一栅电极重叠，所述第二栅电极包括与所述第一栅电极重叠的重叠第二栅极单元以及被所述第一栅电极暴露的非重叠第二栅极单元；第三绝缘层，覆盖所述第二栅电极和所述第二绝缘层；第一接触孔，被限定在所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层中，并且使所述半导体层的一部分暴露；以及源电极和漏电极，位于所述第三绝缘层上，并且通过所述第一接触孔连接至所述半导体层，其中所述第二栅电极的总长度大于所述第一栅电极的总长度，并且所述半导体层包括：与所述源电极接触的源极区，所述源极区被布置为与所述第二栅电极的所述重叠第二栅极单元和所述非重叠第二栅极单元不重叠，与所述漏电极接触的漏极区，所述漏极区被布置为与所述第二栅电极的所述重叠第二栅极单元和所述非重叠第二栅极单元不重叠，位于所述源极区与所述漏极区之间的沟道区，和与所述第二栅电极的所述非重叠第二栅极单元重叠的弱电场区，其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层被布置在所述半导体层的所述弱电场区与所述第二栅电极的所述非重叠第二栅极单元之间。