[发明专利]检测可控硅调光器输出导通角θ的方法有效
| 申请号： | 201310698349.2 | 申请日： | 2013-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN103687242A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 魏其萃;翁大丰 | 申请（专利权）人： | 魏其萃 |
| 主分类号： | H05B37/02 | 分类号： | H05B37/02 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人： | 金祺 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市西*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种检测可控硅调光器输出导通角θ的方法，包括与全波整流器中二极管的输出端并接的非线性电流源；将全波整流器中二极管的寄生电容储能电压在可控硅调光器有输出之前保持为零，并在全波整流器的交流侧的输入接近零附近时，将全波整流器中二极管的寄生电容储能电压释放掉，从而以小功耗来精确地检测可控硅调光器的输出导通角θ。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 可控硅 调光器 输出 导通角 方法 | ||
【主权项】：
一种检测可控硅调光器输出导通角θ的方法，包括可控硅调光器中的全波整流桥以及与可控硅调光器中的全波整流桥并接的非线性电流源；其特征是：将全波整流桥的寄生电容储能电压在可控硅调光器有输出之前保持为零，并在全波整流桥的交流侧的输入接近零附近时，将全波整流桥的寄生电容储能电压释放掉，从而精确地检测可控硅调光器的输出导通角θ。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于魏其萃，未经魏其萃许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310698349.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
