[发明专利]硅基扩展结薄膜太阳能电池在审
| 申请号： | 201310698436.8 | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN104733558A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 宋太伟 | 申请（专利权）人： | 上海建冶科技工程股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/075 | 分类号： | H01L31/075;H01L31/0747 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 杨元焱 |
| 地址： | 201108 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种硅基扩展结薄膜太阳能电池，包括顶层电极层和底层电极层，在顶层电极层和底层电极层之间设有PP-I-NN结复合层。其中的PP-I-NN结复合层由P型重度掺杂薄膜层、P型轻度掺杂薄膜层、I本征层、N型轻度掺杂薄膜层和N型重度掺杂薄膜层顺序层叠构成。本发明是基于硅等普通绿色材料的、高光电转换效率的太阳能薄膜叠层电池，应用前景无限。 | ||
| 搜索关键词： | 扩展 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种硅基扩展结薄膜太阳能电池，包括顶层电极层和底层电极层，其特征在于，在顶层电极层和底层电极层之间设有PP‑I‑NN结复合层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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