[发明专利]一种半导体P、N类型非接触测试传感器

摘要

本发明涉及一种半导体P、N类型非接触测试传感器，包括壳体以及设置于壳体内部的电荷感应电极，用于感应半导体表面产生的微弱光生电荷；红外激发二极管，用于发光照射到半导体表面；绝缘定位件，电荷感应电极设置于绝缘定位件上；壳体内还密封有绝缘填料。本发明利用红外激发二极管激发半导体表面诱发产生微弱的光生电荷，电荷感应电极采集到光生电荷并生成相应的电压信号，从而分别出半导体的P、N类型，采用红外激发二极管在感应距离不超过0.15mm也可达到较高的准确度，不需要直接与半导体接触。

主权项

一种半导体P、N类型非接触测试传感器，其特征在于，包括壳体以及设置于所述壳体内部的以下机构：电荷感应电极，所述电荷感应电极上开设有透光孔并设置有一个电极引线，所述电极引线一端延伸出所述壳体外，用于采集下述光生电荷并生成相应的电压信号；红外激发二极管，所述红外激发二极管设置于所述透光孔中并设置有两个红外激发二极管引线，所述红外激发二极管引线焊接端延伸出所述壳体外，用于通电发光激发半导体产生微弱的光生电荷；绝缘定位件，所述电荷感应电极设置于所述绝缘定位件上；所述壳体内还密封有绝缘填料。