[发明专利]浅沟槽隔离结构的减薄方法有效
| 申请号： | 201310700216.4 | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN104733368B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 陈建奇;潘晶;王琪 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种浅沟槽隔离结构的减薄方法。该减薄方法包括：步骤S1，在半导体基底上制作隧穿氧化层、浅沟槽隔离结构和浮栅，半导体基底划分为存储单元区和外围电路区；步骤S2，刻蚀减薄存储单元区和外围电路区的浅沟槽隔离结构，在被刻蚀的浅沟槽隔离结构所在位置形成开口；步骤S3，在存储单元区和外围电路区的浮栅、浅沟槽隔离结构的表面形成ONO层；步骤S4，刻蚀去除外围电路区的ONO层和浮栅；以及步骤S5，刻蚀减薄外围电路区的浅沟槽隔离结构。同时对存储单元区和外围电路区的浅沟槽隔离结构进行刻蚀减薄，简化了减薄的流程；后续刻蚀在ONO层的保护下，有效避免了浅沟槽隔离结构顶部两侧边沟的出现。 | ||
| 搜索关键词： | 浅沟槽隔离结构 外围电路区 存储单元区 减薄 刻蚀减薄 浮栅 刻蚀 半导体基底 隧穿氧化层 表面形成 边沟 去除 开口 申请 制作 | ||
【主权项】：
1.一种浅沟槽隔离结构的减薄方法，其特征在于，所述减薄方法包括：步骤S1，在半导体基底(100)上制作隧穿氧化层(101)、浅沟槽隔离结构(102)和浮栅(103)，所述半导体基底(100)划分为存储单元区(Ⅰ)和外围电路区(Ⅱ)；步骤S2，刻蚀减薄所述存储单元区(Ⅰ)和所述外围电路区(Ⅱ)的浅沟槽隔离结构(102)，在被刻蚀的所述浅沟槽隔离结构(102)所在位置形成开口；步骤S3，在所述存储单元区(Ⅰ)和所述外围电路区(Ⅱ)的所述浮栅(103)、所述浅沟槽隔离结构(102)的表面形成ONO层(104)；步骤S4，刻蚀去除所述外围电路区(Ⅱ)的所述ONO层(104)和所述浮栅(103)并保留所述隧穿氧化层(101)，所述刻蚀为具有各向异性的干法刻蚀，刻蚀后位于所述浮栅(103)侧壁上的所述ONO层(104)的高度高于位于所述浮栅(103)和所述浅沟槽隔离结构(102)上的所述ONO层(104)的高度；以及步骤S5，刻蚀减薄所述外围电路区(Ⅱ)的所述浅沟槽隔离结构(102)。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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