[发明专利]一种消除电容失配误差的校准电路有效
申请号: | 201310701571.3 | 申请日: | 2013-12-19 |
公开(公告)号: | CN103746693B | 公开(公告)日: | 2017-02-01 |
发明(设计)人: | 李浩;王宗民;张铁良;杨松;虞坚 | 申请(专利权)人: | 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 |
主分类号: | H03M1/06 | 分类号: | H03M1/06 |
代理公司: | 中国航天科技专利中心11009 | 代理人: | 安丽 |
地址: | 100076 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种消除电容失配误差的校准电路,包括熔丝阵列、累加器、控制电路和校准电容阵列。熔丝阵列中的数据熔丝存储失配误差数据,校准电容阵列为差分电容阵列中左LSB电容阵列,累加器依次读取数据熔丝值,在控制电路作用下依据比较器输出结果控制校准电容阵列中电容的接入或断开,从而完成电容校准与转换。本发明将校准电容阵列与左LSB电容阵列合二为一,极大地节省了版图面积;将每个高位电容的误差信息用一行数据熔丝来表示,将几个低位电容的误差信息用一行数据熔丝来表示,折中了补偿精度与熔丝阵列规模之间的矛盾。采用本发明的校准方法可以将逐次逼近型模数转换器的精度由传统的12位提高到16位乃至18位。 | ||
搜索关键词: | 一种 消除 电容 失配 误差 校准 电路 | ||
【主权项】:
一种消除电容失配误差的校准电路,其特征在于:包括熔丝阵列、累加器、控制电路和校准电容阵列;熔丝阵列由m乘n根熔丝组成,m为熔丝阵列的行数,n为熔丝阵列的列数,其中x行为数据熔丝,m、n、x均为自然数,且x小于m;数据熔丝中存储需要修调的失配误差数据;校准电容阵列在控制电路的作用下存储差分电容阵列左LSB的电容值与累加器输出的失配误差数据的叠加值;累加器逐行读入熔丝阵列数据熔丝中存储的失配误差数据并输出给校准电容阵列,校准电容阵列在控制电路的作用下将差分电容阵列左LSB电容值和累加器输出的误差数据进行叠加,然后与左MSB电容值一起输入比较器负端,差分电容阵列右LSB电容值和右MSB电容值一起输入比较器正端,比较器对正负端输入数据进行比较,如果比较器输出结果为正,则累加器在控制电路的作用下继续读入下一行数据熔丝中的失配误差数据;如果比较器输出结果为负,则累加器在控制电路的作用下减去本次读入的失配误差数据,然后再读取下一行数据熔丝中的失配误差数据,直至完成对差分电容阵列中所有位电容的校准。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所,未经北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310701571.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:数据的无损压缩方法与装置
- 下一篇:基于保护门替代电路的SET加固结构