[发明专利]一种高质量晶体生长方法无效
| 申请号： | 201310702847.X | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103741207A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 宁凯杰;王禄堡 | 申请（专利权）人： | 江苏吉星新材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/14 | 分类号： | C30B11/14;C30B33/02;C30B29/20 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 季萍 |
| 地址： | 212216 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶体生长方法，包括：a）提供籽晶原料；b）将所述籽晶原料在第一条件下熔融；得到熔融料；所述第一条件为抽真空或抽真空后再置于保护气氛；c）将所述熔融料在第二条件下进行长晶；所述第二条件为抽真空或抽真空后再置于保护气氛；d）将步骤c）长晶后得到的粗晶进行退火并降温降至室温，得到晶体。本发明提供的晶体生长方法制备的晶体质量高、一致性好，稳定性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 质量 晶体生长 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体生长方法，其特征在于，包括：a）提供籽晶原料；b）将所述籽晶原料在第一条件下熔融；得到熔融料；所述第一条件为抽真空或抽真空后再置于保护气氛；c）将所述熔融料在第二条件下进行长晶；所述第二条件为抽真空或抽真空后再置于保护气氛；d）将步骤c）长晶后得到的粗晶进行退火并降温降至室温，得到晶体。
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