[发明专利]MOSFET功率器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201310703148.7 | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN104733523A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 朱超群;钟树理;陈宇 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOSFET功率器件及其形成方法，其中该MOSFET功率器件包括：衬底；外延层；形成在外延层中的多个条形的MOSFET元胞，多个元胞沿第一方向相互平行，每个元胞包括源区、栅结构和第一阱区，第一阱区位于源区的下方；形成在外延层中的多个第二阱区，多个第二阱区沿第二方向相互平行，第一方向与第二方向在与衬底平行的平面上互成预设角度，第一阱区和第二阱区掺杂的类型相同，通过多个第二阱区连通多个第一阱区；以及栅连接件，栅连接件位于第二阱区内或第二阱区上，栅连接件用于连接第二阱区所经过的栅结构。本发明的MOSFET功率器件，发生击穿时具有较强阱区泄放电流的能力，器件雪崩能力良好；能够均匀快速开启；不受元胞尺寸缩小的限制，结构简单。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 功率 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种MOSFET功率器件，其特征在于，包括：衬底和形成在所述衬底上的外延层；形成在所述外延层中的多个条形的MOSFET元胞，所述多个MOSFET元胞沿第一方向相互平行，每个所述MOSFET元胞包括源区、栅结构和第一阱区，所述第一阱区位于所述源区的下方；形成在所述外延层中的多个第二阱区，所述多个第二阱区沿第二方向相互平行，所述第一方向与所述第二方向在与所述衬底平行的平面上相互成预设角度，所述第一阱区和所述第二阱区掺杂的类型相同，通过所述多个第二阱区连通所述多个第一阱区；以及栅连接件，所述栅连接件位于所述第二阱区内或第二阱区上，所述栅连接件用于连接所述第二阱区所经过的栅结构。
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