[发明专利]射频LDMOS器件及工艺方法在审
| 申请号： | 201310705324.0 | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN104733525A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 慈朋亮;石晶;胡君;李娟娟;钱文生;刘冬华;段文婷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/60;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种射频LDMOS器件，在P型衬底上的P型外延中具有体区及轻掺杂漂移区，外延上具有多晶硅栅极及法拉第环结构。所述的法拉第环是分为两段式，第一段覆盖在多晶硅栅极，第二段位于轻掺杂漂移区上方，两段之间存在间隔区而互不连接，且间隔区下方的漂移区杂质浓度高于其他区域的漂移区杂质浓度。本发明还公开了所述的射频LDMOS器件的工艺方法，包含多晶硅栅极形成及漂移区第一次离子注入、漂移区第二次离子注入、体区及源漏注入、两段式法拉第环形成及钨塞形成等步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 ldmos 器件 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种射频LDMOS器件，在P型衬底上具有P型外延，所述P型外延中具有P型体区，一重掺杂P型区和射频LDMOS器件的源区位于所述P型体区中；所述P型外延中还具有轻掺杂漂移区，轻掺杂漂移区中具有所述LDMOS器件的漏区；所述P型体区与轻掺杂漂移区之间的硅表面具有栅氧及覆盖在栅氧之上的多晶硅栅极；多晶硅栅极及靠近多晶硅栅极的轻掺杂漂移区之上覆盖氧化层，氧化层上具有法拉第环；在P型体区远离轻掺杂漂移区的一侧具有穿通外延层且其底部位于P型衬底的钨塞，钨塞上端连接所述重掺杂P型区；其特征在于：所述的法拉第环是分为间隔开的两段式，第一段法拉第环覆盖多晶硅栅极及靠近多晶硅栅极的区域，第二段法拉第环覆盖在漂移区上方；所述的轻掺杂漂移区的杂质浓度为非均匀分布，两段法拉第环之间间隔区域的下方漂移区杂质浓度高于漂移区其他区域的杂质浓度。
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