[发明专利]一种负温度系数热敏电阻芯片、热敏电阻以及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310706096.9 申请日: 2013-12-19
公开(公告)号: CN103664141A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 包汉青;黄飞;王军;袁仲宁 申请(专利权)人: 深圳顺络电子股份有限公司
主分类号: C04B35/01 分类号: C04B35/01;C04B35/622
代理公司: 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人: 余敏
地址: 518110 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种负温度系数热敏电阻芯片、热敏电阻以及其制备方法。负温度系数热敏电阻芯片由过渡金属氧化物粉末烧结而成,过渡金属氧化物粉末的配方由四氧化三钴Co3O4,二氧化锰MnO2,三氧化二钇Y2O3,三氧化二铬Cr2O3和/或二氧化钛TiO2按照特定的含量组成。由上述负温度系数热敏电阻芯片制备得到相应的热敏电阻。本发明的负温度系数热敏电阻芯片、热敏电阻以及其制备方法,改进了制备热敏电阻芯片的过渡金属氧化物粉末的配方,从而得到一种具有新尖晶石相结构的金属氧化物,激活能量较低,从而使得到的热敏电阻的B值较高。根据实验测试结果,以0402尺寸片式负温度系数热敏电阻为例,低阻值的电阻的B值均可达到较高。
搜索关键词: 一种 温度 系数 热敏电阻 芯片 及其 制备 方法
【主权项】:
一种负温度系数热敏电阻芯片,由过渡金属氧化物粉末烧结而成,其特征在于:所述过渡金属氧化物粉末包括如下含量的组分:按摩尔百分比计算,30%~70%的四氧化三钴Co3O4,20%~60%的二氧化锰MnO2,大于0小于等于5%的三氧化二钇Y2O3,5%~20%的三氧化二铬Cr2O3或二氧化钛TiO2,各组分的含量之和为100%。
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