[发明专利]无引线球脚表贴式高密度厚膜混合集成电路的集成方法有效
申请号: | 201310706178.3 | 申请日: | 2013-12-19 |
公开(公告)号: | CN103681364A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 杨成刚;王德成;苏贵东;黄晓山 | 申请(专利权)人: | 贵州振华风光半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/56;H01L21/98 |
代理公司: | 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 | 代理人: | 刘安宁 |
地址: | 550018 贵*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | 本发明公开了无引线球脚表贴式高密度厚膜混合集成电路集成方法,该方法是采用在陶瓷基片上,直接将厚膜混合集成电路对外连接端制作在陶瓷基片的底面,对外连接端为金属球面型;在陶瓷基片的正面进行混合集成,对厚膜导带、厚膜阻带、厚膜电容、厚膜电感等采用绝缘介质厚膜进行密封、绝缘保护;对半导体裸芯片采用绝缘介质浆料进行涂封和固化保护;采用三维(3D)垂直叠层方式进行集成,提升集成密度。本方法特点有:①体积大幅缩小;②减小高频干扰;③减小导带长度,提升频率特性和集成度;④提升集成密度;⑤缩小装备体积,提升高频性能;⑥提高装备系统可靠性。本方法生产的集成电路应用广泛,适用于装备小型化、高频、高可靠的领域。 | ||
搜索关键词: | 引线 球脚表贴式 高密度 混合 集成电路 集成 方法 | ||
【主权项】:
无引线球脚表贴式高密度厚膜混合集成电路集成方法,其基本工艺是常规的厚膜混合集成电路制作工艺,其特征在于:采用在陶瓷基片上,直接将厚膜混合集成电路对外连接端制作在陶瓷基片的底面,对外连接端为金属球面型;在陶瓷基片的正面进行混合集成,对厚膜导带、厚膜阻带、厚膜电容、厚膜电感等采用绝缘介质厚膜进行密封、绝缘保护;对半导体裸芯片采用绝缘介质浆料进行涂封和固化保护;采用三维(3D)垂直叠层方式进行集成,提升集成密度;具体做法是取消原有集成方法的封帽工序,增加如下工序:⑴ 在厚膜导带印刷前增加基片通孔打孔工序;⑵ 在进行导带印刷的同时,进行通孔金属浆料填充;⑶ 阻带修调完毕后,进行绝缘介质浆料印刷,采用三氧化二铝陶瓷浆料烧结成膜;⑷ 在介质膜烧结完毕后,采用高压金丝打火或印刷金浆料再回流的方法形成金焊接球;⑸ 第一层采用倒装焊技术进行芯片级封装芯片的组装,或采用表面贴装技术进行片式元器件的组装;⑹ 第一层与第二层之间采用倒装焊技术进行球焊连接;⑺ 半导体裸芯片组装在顶层;⑻在顶层已组装和键合后的半导体裸芯片区域涂封绝缘介质浆料,采用低温固化玻璃浆料进行涂封。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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