[发明专利]一种制备图形化多孔硅结构的方法无效
| 申请号： | 201310706907.5 | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103641063A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 赵永梅;杨香;季安;张明亮;韩国威;宁瑾;王晓东;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备图形化多孔硅结构的方法，包括：步骤1：在硅片上依次淀积氧化硅和氮化硅，形成双层掩膜结构；步骤2：在硅片上双层掩膜结构的表面定义氮化硅／氧化硅掩膜图形窗口区域，然后采用干法刻蚀依次去掉该图形窗口区域中的氮化硅和氧化硅层，露出硅片的表面；步骤3：对露出的硅片表面进行湿法腐蚀，形成硅腔结构；步骤4：采用水热腐蚀方法在硅腔结构内形成多孔硅层，完成图形化多孔硅结构的制备。本发明提供的掩膜体系可以实现不同厚度和图形尺寸的多孔硅图形、单面／双面多孔硅图形及自支撑多孔硅图形等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 图形 多孔 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种制备图形化多孔硅结构的方法，其特征在于，包括：步骤1：在硅片上依次淀积氧化硅和氮化硅，形成双层掩膜结构；步骤2：在硅片上双层掩膜结构的表面定义氮化硅／氧化硅掩膜图形窗口区域，然后采用干法刻蚀依次去掉该图形窗口区域中的氮化硅和氧化硅层，露出硅片的表面；步骤3：对露出的硅片表面进行湿法腐蚀，形成硅腔结构；步骤4：采用水热腐蚀方法在硅腔结构内形成多孔硅层，完成图形化多孔硅结构的制备。
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