[发明专利]一种具有补偿极化效应的量子阱结构有效
| 申请号： | 201310708760.3 | 申请日： | 2013-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN104733574B | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 陈振 | 申请（专利权）人： | 晶能光电(江西)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有补偿极化效应的量子阱结构，包括由GaN基半导体化合物构成的多量子阱有源层；两个位于所述有源层两侧具有比有源层更高的导带能量和更低的价带能量的势垒层；其特征在于所述有源层的导带能量逐渐减小，价带能量逐渐增加。该结构的量子阱在施加驱动电压时可以补偿由于极化场产生的载流子分布不均匀现象，从而提高了电子和空穴的复合率，提高发光强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 补偿 极化 效应 量子 结构 | ||
【主权项】：
1.一种具有补偿极化效应的量子阱结构，包括：由GaN基半导体化合物构成的多量子阱有源层；两个位于所述有源层两侧具有比有源层更高的导带能量和更低的价带能量的势垒层；其特征在于所述有源层的导带能量逐渐减小，价带能量逐渐增加；所述有源层由In1‑xGaxN构成，预定成分是In，且0
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