[发明专利]一种阵列基板及其制备方法和显示装置

摘要

本发明提供了一种阵列基板及其制备方法和显示装置，其制备方法包括：在基板上依次形成栅极和栅线、栅绝缘层、有源层、源极、漏极、数据线、第一钝化层、像素电极、第二钝化层、公共电极，其中源极、漏极、数据线与第一钝化层过孔在同一次构图工艺中形成。本发明的制备工艺中省去了保护层的制作，优化了制备工艺，缩短了生产周期，避免了倒角不良的缺陷，提升了第一钝化层的透过率，改善了画质亮度，进一步降低了显示装置的使用功耗，同时也减少了成本，提升了量产。

主权项

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在衬底基板上依次形成第一金属层、第一钝化层，通过第一构图工艺在第一金属层上形成源极、漏极和数据线，并同时在第一钝化层上形成第一钝化层过孔；所述第一钝化层采用氮化硅材料形成；所述通过第一构图工艺在第一金属层上形成源极、漏极和数据线，并在第一钝化层上形成第一钝化层过孔包括：在所述第一钝化层上涂覆光刻胶，掩模后进行曝光、显影，对所述第一钝化层进行刻蚀，形成第一钝化层过孔的第一部分，露出第一金属层；再对所述第一金属层进行刻蚀，形成源极、漏极和数据线；接着对所述光刻胶进行灰化，露出第一钝化层过孔的第二部分位置处的氮化硅；再对所述第一钝化层过孔的第二部分位置处的氮化硅进行刻蚀以形成第一钝化层过孔的第二部分；并且，所述方法还包括在所述形成第一金属层、第一钝化层之前，通过第二构图工艺形成有源层；其中，所述有源层为包括非晶硅薄膜和掺杂硅薄膜的双层薄膜或包括金属氧化物半导体薄膜和掺杂硅薄膜的双层薄膜；其中，所述掺杂硅薄膜和氮化硅的刻蚀选择比为1:7。